2N3026 Todos los transistores

 

2N3026 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3026
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO3

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3026

 

2N3026 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  central
2n3019 2n3020.pdf

2N3026

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:75K  cdil
2n3019 2n3020.pdf

2N3026 2N3026

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss

 9.3. Size:301K  microsemi
2n3027-29 2n3030-32.pdf

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