2N3026 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3026

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO3

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2N3026 datasheet

 9.1. Size:60K  central
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2N3026

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:75K  cdil
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2N3026

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020 TO-39 Metal Can Package General Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Collector Base Voltage VCBO 140 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current Continuous IC 1.0 A Power Diss

 9.3. Size:301K  microsemi
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2N3026

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