BFP620 Todos los transistores

 

BFP620 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFP620
   Código: R2s
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BFP620 Datasheet (PDF)

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BFP620

BFP620NPN Silicon-Germanium RF TransistorPreliminary Data For high gain low noise amplifier Noise Figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz Gms=21dB at 1.8 GHz Gold metalization for high reliability 70GHz fT - Line 10dBm Input IP3 capability @ 1.95 GHz, VCE=2V, ICE=6mAESD: Electrostatic discharge sensitive device,observe handling precautions!Type Marking Ordering Cod

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History: JA100O

 

 
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