BFP620. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFP620

Маркировка: R2s

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BFP620

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP620 даташит

 ..1. Size:59K  infineon
 bfp620.pdf pdf_icon

BFP620

BFP620 NPN Silicon-Germanium RF Transistor Preliminary Data For high gain low noise amplifier Noise Figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz Gms=21dB at 1.8 GHz Gold metalization for high reliability 70GHz fT - Line 10dBm Input IP3 capability @ 1.95 GHz, VCE=2V, ICE=6mA ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Cod

Другие транзисторы: BFP520VI, BFP521, BFP521I, BFP521II, BFP521III, BFP521IV, BFP521V, BFP619, TIP120, BFP621, BFP67, BFP67R, BFP67W, BFP81, BFP90, BFP90A, BFP91