BFP81 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP81

Código: FA_FAs

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.28 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 16 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5800 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT23

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BFP81 datasheet

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BFP81

BFP 81 NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from 0.5 mA to 20 mA. ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 81 FAs Q62702-F1611 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 16 V Col

Otros transistores... BFP521IV, BFP521V, BFP619, BFP620, BFP621, BFP67, BFP67R, BFP67W, BDT88, BFP90, BFP90A, BFP91, BFP91A, BFP92, BFP92A, BFP92AW, BFP93