BFP81. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFP81

Маркировка: FA_FAs

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFP81

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP81 даташит

 ..1. Size:59K  siemens
 bfp81.pdf pdf_icon

BFP81

BFP 81 NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from 0.5 mA to 20 mA. ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 81 FAs Q62702-F1611 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 16 V Col

Другие транзисторы: BFP521IV, BFP521V, BFP619, BFP620, BFP621, BFP67, BFP67R, BFP67W, BDT88, BFP90, BFP90A, BFP91, BFP91A, BFP92, BFP92A, BFP92AW, BFP93