Биполярный транзистор BFP81 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP81
Маркировка: FA_FAs
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5800 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
BFP81 Datasheet (PDF)
bfp81.pdf
BFP 81NPN Silicon RF Transistor For low-noise amplifiers up to 2GHz at collector currents from 0.5 mA to 20 mA.ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFP 81 FAs Q62702-F1611 1 = C 2 = E 3 = B 4 = E SOT-143Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 16 VCol
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050