BFR35 Todos los transistores

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BFR35 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR35

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 12 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 3000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 25

Empaquetado / Estuche: SOT23

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BFR35 Datasheet (PDF)

1.1. bfr35ap.pdf Size:19K _siemens

BFR35
BFR35

BFR 35AP NPN Silicon RF Transistor For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2GHz at collector currents from 0.5mA to 20mA ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFR 35AP GEs Q62702-F938 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter v

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