BFR90 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFR90
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO51
Búsqueda de reemplazo de BFR90
BFR90 Datasheet (PDF)
bfr90rev.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BFR90/DThe RF LineNPN SiliconBFR90High-Frequency TransistorDesigned primarily for use in highgain, lownoise, smallsignal amplifiers.Also used in applications requiring fast switching times. High CurrentGain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mAfT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise F
Otros transistores... BFR88 , BFR88A , BFR88B , BFR88TO5 , BFR89 , BFR89A , BFR89B , BFR89TO5 , TIP127 , BFR90A , BFR90B , BFR90H , BFR91 , BFR91A , BFR91H , BFR92 , BFR92A .
History: OC74N | FJ0240-12 | DTC123JET1G | DTA144EKAFRA | BD566 | BC848BWT1 | BLX96
History: OC74N | FJ0240-12 | DTC123JET1G | DTA144EKAFRA | BD566 | BC848BWT1 | BLX96



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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