BFR90 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR90

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO51

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BFR90 datasheet

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BFR90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR90/D The RF Line NPN Silicon BFR90 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise, small signal amplifiers. Also used in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mA fT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise F

Otros transistores... BFR88, BFR88A, BFR88B, BFR88TO5, BFR89, BFR89A, BFR89B, BFR89TO5, TIP42, BFR90A, BFR90B, BFR90H, BFR91, BFR91A, BFR91H, BFR92, BFR92A