BFR90H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR90H

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO51

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BFR90H datasheet

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BFR90H

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR90/D The RF Line NPN Silicon BFR90 High-Frequency Transistor Designed primarily for use in high gain, low noise, small signal amplifiers. Also used in applications requiring fast switching times. High Current Gain Bandwidth Product fT = 5.0 GHz (Typ) @ IC = 14 mA fT = 5.0 GHz @ 14 mA Low Noise F

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