BFR96H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR96H

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO51

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BFR96H datasheet

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BFR96H

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BFR96/D The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor BFR96 The BFR96 transistor uses the same state of the art microwave transistor chip which features fine line geometry, ion implanted arsenic emitters and gold top metallization. This transistor is intended for low to medium power amplifiers requiring hi

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