BFR96T Todos los transistores

 

BFR96T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR96T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO51
 

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BFR96T Datasheet (PDF)

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BFR96T

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BFR96/DThe RF LineNPN SiliconHigh-Frequency TransistorBFR96The BFR96 transistor uses the same stateoftheart microwave transistorchip which features fineline geometry, ionimplanted arsenic emitters and goldtop metallization. This transistor is intended for lowtomedium power amplifiersrequiring hi

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History: DDTC123TUA | GSRU15035A | 2N5805 | MJ2252

 

 
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