BFT33 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFT33

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO39

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BFT33 datasheet

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BFT33

BFT33L Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 80V 5.08 (0.200) IC = 5A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can be

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BFT33

BFT33B Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 5A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

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BFT33

BFT33A MECHANICAL DATA Dimensions in mm(inches) NPN SILICON TRANSISTOR 8.89 (0.35) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) FEATURES 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) FAST SWITCHING HIGH PULSE POWER 0.89 (0.035)max. 12.70 (0.500) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. 5.08 (0.200) typ. APPLICATIONS POWER SWITCHING CIRCUITS 2.54 2 (0.100) 1 3 MOTOR CONTROL 0.66 (0

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