2N307B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N307B
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
2N307B Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N3073 , 2N3074 , 2N3075 , 2N3076 , 2N3077 , 2N3078 , 2N3079 , 2N307A , A1941 , 2N308 , 2N3080 , 2N3081 , 2N3081-46 , 2N3081-51 , 2N3082 , 2N3083 , 2N309 .
History: KTA1046 | NJM13003-1.63 | FMMT3053A | 2N2605CSM | 2N2222AE | MPSA42D | 2N3506L
History: KTA1046 | NJM13003-1.63 | FMMT3053A | 2N2605CSM | 2N2222AE | MPSA42D | 2N3506L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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