Биполярный транзистор 2N307B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N307B
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO3
Другие транзисторы... 2N3073 , 2N3074 , 2N3075 , 2N3076 , 2N3077 , 2N3078 , 2N3079 , 2N307A , TIP42C , 2N308 , 2N3080 , 2N3081 , 2N3081-46 , 2N3081-51 , 2N3082 , 2N3083 , 2N309 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050