BFX89 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFX89

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO72

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BFX89 datasheet

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BFX89

BFX89 BFY90 WIDE BAND VHF/UHF AMPLIFIER SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS TO-72 METAL CASE VERY LOW NOISE APPLICATIONS TELECOMMUNICATIONS WIDE BAND UHF AMPLIFIER RADIO COMMUNICATIONS The BFX89 and BFY90 are silicon planar epitaxial NPN transistors produced using interdigitated base emitter geometry. They are particulary designed for use in wide

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