2N3110S Todos los transistores

 

2N3110S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3110S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 190 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N3110S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:143K  microelectronics
 2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdf pdf_icon

2N3110S

 9.1. Size:354K  rca
 2n3118.pdf pdf_icon

2N3110S

 9.2. Size:418K  rca
 2n3119.pdf pdf_icon

2N3110S

 9.3. Size:144K  semelab
 2n3114csm.pdf pdf_icon

2N3110S

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

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