BFY28 Todos los transistores

 

BFY28 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFY28
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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BFY28 Datasheet (PDF)

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BFY28

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 280Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, low power amplifiers at collectorcurrents from 0.2 mA to 8 mA Hermetically sealed microwave package fT = 7.2 GHz, F = 2.5 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006Micro-X1ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautio

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