BFY28 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY28

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO18

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BFY28 datasheet

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BFY28

HiRel NPN Silicon RF Transistor BFY 280 Features HiRel Discrete and Microwave Semiconductor For low noise, low power amplifiers at collector currents from 0.2 mA to 8 mA Hermetically sealed microwave package fT = 7.2 GHz, F = 2.5 dB at 2 GHz qualified ESA/SCC Detail Spec. No. 5611/006 Micro-X1 ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautio

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