BFY40 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFY40
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de BFY40
BFY40 Datasheet (PDF)
bfy405.pdf

BFY405HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor4 3 For Low Current Applications For Oscillators up to 12 GHz Noise Figure F = 1.15 dB at 1.8 GHzOutstanding Gms = 23dB at 1.8 GHz12 Hermetically sealed microwave package Transition Frequency fT = 20 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualifie
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History: MRF847 | MPS3568



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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