BFY40 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY40

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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BFY40 datasheet

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BFY40

BFY405 HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor 4 3 For Low Current Applications For Oscillators up to 12 GHz Noise Figure F = 1.15 dB at 1.8 GHz Outstanding Gms = 23dB at 1.8 GHz 12 Hermetically sealed microwave package Transition Frequency fT = 20 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualifie

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