BFY42 Todos los transistores

 

BFY42 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFY42
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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BFY42 Datasheet (PDF)

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BFY42

BFY420HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor4 3 For High Gain Low Noise Amplifiers For Oscillators up to 10 GHz Noise Figure F = 1.1 dB at 1.8 GHzOutstanding Gms = 21dB at 1.8 GHz12 Hermetically sealed microwave package Transition Frequency fT = 22 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualif

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History: 2SC1950 | 3DD13005C3D | MQ3905R | MJ12004 | KSA1220Y | 40251 | MPS-U02

 

 
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