BFY42 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFY42
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFY42
BFY42 Datasheet (PDF)
bfy420.pdf
BFY420HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor4 3 For High Gain Low Noise Amplifiers For Oscillators up to 10 GHz Noise Figure F = 1.1 dB at 1.8 GHzOutstanding Gms = 21dB at 1.8 GHz12 Hermetically sealed microwave package Transition Frequency fT = 22 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualif
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History: ZXTN2018F | 2SA1026
Liste
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