BFY42 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY42

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 110

Encapsulados: TO18

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BFY42 datasheet

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BFY42

BFY420 HiRel NPN Silicon RF Transistor HiRel Discrete and Microwave Semiconductor 4 3 For High Gain Low Noise Amplifiers For Oscillators up to 10 GHz Noise Figure F = 1.1 dB at 1.8 GHz Outstanding Gms = 21dB at 1.8 GHz 12 Hermetically sealed microwave package Transition Frequency fT = 22 GHz mens rounded mitter ransistor- GHz fT- Space Qualif

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