2N3119 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3119

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N3119 datasheet

 ..1. Size:418K  rca
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 9.1. Size:354K  rca
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 9.2. Size:144K  semelab
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.3. Size:143K  microelectronics
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