Справочник транзисторов. 2N3119

 

Биполярный транзистор 2N3119 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N3119
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N3119 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:418K  rca
2n3119.pdfpdf_icon

2N3119

 9.1. Size:354K  rca
2n3118.pdfpdf_icon

2N3119

 9.2. Size:144K  semelab
2n3114csm.pdfpdf_icon

2N3119

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N3114CSM High Voltage Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 150V VCEO Collector Emitter V

 9.3. Size:143K  microelectronics
2n3107 2n3108 2n3109 2n3110.pdfpdf_icon

2N3119

Другие транзисторы... 2N3110 , 2N3110S , 2N3114 , 2N3114S , 2N3115 , 2N3116 , 2N3117 , 2N3118 , TIP35C , 2N312 , 2N3120 , 2N3121 , 2N3122 , 2N3123 , 2N3124 , 2N3125 , 2N3126 .

History: GT310D | 3DD4013B1D | TS13005CK | 3DG1923 | BC847 | 2N2828 | FHD100

 

 
Back to Top

 


 
.