BFY51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFY51

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO5

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BFY51 datasheet

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BFY51

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BFY50; BFY51; BFY52 NPN medium power transistors 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BFY50; BFY51; BFY52 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 35 V)

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BFY51

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR TRANSISTORS BFY50, BFY51, BFY52 TO-39 Metal Can Package General Purpose Transistors. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BFY50 BFY51 BFY52 UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 35 30 20 V VCBO Collector Base Voltage 80 60 40 V VEBO E

Otros transistores... BFY48R, BFY49, BFY49R, BFY49RK, BFY50, BFY50E, BFY50I, BFY50L, D882, BFY51I, BFY52, BFY53, BFY55, BFY56, BFY56A, BFY56B, BFY57