BLV33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV33
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 132 W
Tensión colector-base (Vcb): 65 V
Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO128
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BLV33 Datasheet (PDF)
blv33.pdf
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blv33f.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33FVHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FFEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum2 e emi
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