BLV33 Todos los transistores

 

BLV33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV33
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 132 W
   Tensión colector-base (Vcb): 65 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 33 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 700 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO128
 

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BLV33 Datasheet (PDF)

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BLV33

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33VHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationSupersedes data of November 1995Philips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FEATURES PINNING - SOT147 Diffused emitter ballasting resistors for an optimumPIN SYMBOL DESCRIPTIONtemperature profile1 c collector Gold sandwich metalliza

 0.1. Size:118K  philips
 blv33f.pdf pdf_icon

BLV33

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV33FVHF linear power transistor1996 Oct 10Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF linear power transistor BLV33FFEATURES PINNING - SOT119A Internally matched input for wideband operation andPIN SYMBOL DESCRIPTIONhigh power gain1 e emitter Diffused emitter ballasting resistors for an optimum2 e emi

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History: NB112FJ | DTA114YE-MS

 

 
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