BLV45-12 Todos los transistores

 

BLV45-12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV45-12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 36 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 175 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: M111
 

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BLV45-12 Datasheet (PDF)

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BLV45-12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

 9.2. Size:64K  philips
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BLV45-12

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV45/12VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV45/12DESCRIPTION FEATURESN-P-N silicon planar epitaxial multi-base structure andtransistor primarily intended for use in emitter-ballasting resistors for anmobile radio transmitters in the optimum temperature

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History: PBSS302ND | KRA117

 

 
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