BLV98 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV98
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 14 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: M118
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BLV98 Datasheet (PDF)
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV98CEUHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV98CEFEATURES DESCRIPTION Internal input matching to achieve high power gain NPN silicon planar epitaxial transistor in an SOT-171envelope, intended for common emitter, class-AB Implanted ballasting resistors a
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