BLY89A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLY89A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
Tensión colector-base (Vcb): 36 V
Tensión colector-emisor (Vce): 18 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 650 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Empaquetado / Estuche: TO61
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BLY89A
BLY89A Datasheet (PDF)
5.1. bly89c cnv 2.pdf 
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLY89C VHF power transistor August 1986 Product specification Philips Semiconductors Product specification VHF power transistor BLY89C DESCRIPTION N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, B and C operated mobile, industrial and military transmitters with a nominal supply voltage of 13,5 V. The transistor is resistance
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