BSS50 Todos los transistores

 

BSS50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS50
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO5-1
 

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BSS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  philips
 bss50 bss51 bss52 3.pdf pdf_icon

BSS50

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSS50; BSS51; BSS52NPN Darlington transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 May 13File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistors BSS50; BSS51; BSS52FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 emi

 0.1. Size:62K  comset
 bss50a bss51a bss52a.pdf pdf_icon

BSS50

NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A 61A 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Val

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History: BSS51

 

 
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