BSS50 Todos los transistores

 

BSS50 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS50

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000

Empaquetado / Estuche: TO5-1

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSS50

 

BSS50 Datasheet (PDF)

1.1. bss50 bss51 bss52 3.pdf Size:52K _philips

BSS50
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS50; BSS51; BSS52 NPN Darlington transistors 1997 Sep 03 Product specification Supersedes data of 1997 May 13 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BSS50; BSS51; BSS52 FEATURES PINNING • High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION • Low voltage (max. 80 V) 1 emi

1.2. bss50a bss51a bss52a.pdf Size:62K _comset

BSS50
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NPN BSS50A-51A-52A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are NPN transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . PNP complements are the BSS60A – 61A – 62A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Val

 

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Liste

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