BSS62 Todos los transistores

 

BSS62 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS62
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 4000
   Paquete / Cubierta: TO39
 

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BSS62 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  philips
 bss61 bss62 cnv 2.pdf pdf_icon

BSS62

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D111BSS61; BSS62PNP Darlington transistors1997 May 14Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistors BSS61; BSS62FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)1 emitter I

 0.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS62

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSThey are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

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