BSS62 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS62
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 4000
Encapsulados: TO39
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BSS62 datasheet
bss61 bss62 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS61; BSS62 PNP Darlington transistors 1997 May 14 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BSS61; BSS62 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter I
bss60a bss61a bss62a.pdf
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History: SK3841 | BSW23
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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