BSS62 - описание и поиск аналогов

 

BSS62. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS62

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSS62

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSS62 даташит

 ..1. Size:52K  philips
 bss61 bss62 cnv 2.pdf pdf_icon

BSS62

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSS61; BSS62 PNP Darlington transistors 1997 May 14 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP Darlington transistors BSS61; BSS62 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V) 1 emitter I

 0.1. Size:62K  comset
 bss60a bss61a bss62a.pdf pdf_icon

BSS62

NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A 51A 52A . Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Valu

Другие транзисторы: BSS54B, BSS55, BSS55A, BSS55B, BSS56, BSS59, BSS60, BSS61, 2SC828, BSS63, BSS63L, BSS64, BSS64R, BSS65, BSS65R, BSS66, BSS66R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.