BSV17-10 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSV17-10
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 63
Encapsulados: TO39
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BSV17-10 datasheet
bsv15 bsv16 bsv17 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSV15; BSV16; BSV17 PNP medium power transistors 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BSV15; BSV16; BSV17 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)
bsv15 bsv16 bsv17.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BSV15 BSV16 BSV17 TO- 39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BSV15 BSV16 BSV17 UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 40 60 80 V Collector -Emitter Voltage VCES 40 60 90 V Emitter -Base Voltage VEBO 5.0 5.0 5.0 V Collector Current (DC) IC 1.0 A Ba
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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