BSV17-10 - описание и поиск аналогов

 

BSV17-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSV17-10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для BSV17-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BSV17-10 даташит

 9.1. Size:53K  philips
 bsv15 bsv16 bsv17 cnv 2.pdf pdf_icon

BSV17-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSV15; BSV16; BSV17 PNP medium power transistors 1997 Apr 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BSV15; BSV16; BSV17 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)

 9.2. Size:90K  cdil
 bsv15 bsv16 bsv17.pdf pdf_icon

BSV17-10

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BSV15 BSV16 BSV17 TO- 39 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BSV15 BSV16 BSV17 UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 40 60 80 V Collector -Emitter Voltage VCES 40 60 90 V Emitter -Base Voltage VEBO 5.0 5.0 5.0 V Collector Current (DC) IC 1.0 A Ba

Другие транзисторы: BSV15-10, BSV15-16, BSV15-6, BSV16, BSV16-10, BSV16-16, BSV16-6, BSV17, 2SB817, BSV17-16, BSV17-6, BSV19, BSV21, BSV23, BSV23K, BSV23L, BSV23M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.