BSV23M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSV23M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BSV23M

BSV23M Datasheet (PDF)

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BSV 236SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 175 m Enhancement modeID -1.5 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-363 150C operating temperature4 Avalanche rated 56 dv/dt rated321VPS05604 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21

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