BSX47-10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSX47-10  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 63

Encapsulados: TO39

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BSX47-10 datasheet

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BSX47-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D111 BSX45; BSX46; BSX47 NPN medium power transistors 1997 Apr 23 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium power transistors BSX45; BSX46; BSX47 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V)

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BSX47-10

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BSX45 BSX46 BSX47 TO-39 Metal Can Package AMPLIFIER TRANSISTORS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL BSX45 BSX46 BSX47 UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 40 60 80 V VCES Collector Emitter Voltage 80 100 120 V VEBO

Otros transistores... BSX45-10, BSX45-16, BSX45-6, BSX46, BSX46-10, BSX46-16, BSX46-6, BSX47, TIP41, BSX47-16, BSX47-6, BSX48, BSX49, BSX50-10, BSX50-6, BSX51, BSX51A