BU100A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU100A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO3

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BU100A datasheet

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BU100A

isc Silicon NPN Power Transistor BU100 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min.) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.)@ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of CTV receivers and high voltage,fast switching a

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