BU105 Todos los transistores

 

BU105 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU105
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU105 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
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BU105

isc Silicon NPN Power Transistor BU105DESCRIPTIONHigh Voltage-V = 1300V(Min.)CERCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 5.0V(Max.)@ I = 2.5ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line operated B&W(19 and 20 inch 110deflection circuits ) or color ( 11 and 14 inch 90 deflectio

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History: KTX302U | RT1P234C | KT712B | RN2113CT | NSBC114EPDXV6T1G | 2SD905

 

 
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