BU109NP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU109NP

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 330 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO220

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BU109NP datasheet

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BU109NP

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BU109 NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTOR TO-3 Metal Can Package HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE OF TVs and CRTs ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 150 V VCBO Collector Base Voltage 330 V VEBO

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
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BU109NP

isc Silicon NPN Power Transistor BU109 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150 V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of TVs and C

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