BU109NP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU109NP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BU109NP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU109NP даташит

 9.1. Size:235K  cdil
 bu109.pdf pdf_icon

BU109NP

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BU109 NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTOR TO-3 Metal Can Package HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE OF TVs and CRTs ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 150 V VCBO Collector Base Voltage 330 V VEBO

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
 bu109.pdf pdf_icon

BU109NP

isc Silicon NPN Power Transistor BU109 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150 V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output stage of TVs and C

Другие транзисторы: BU105-02, BU106, BU107, BU108, BU1085, BU109, BU109D, BU109DP, TIP42, BU109P, BU110, BU111, BU112, BU113, BU113S, BU114, BU115