Справочник транзисторов. BU109NP

 

Биполярный транзистор BU109NP Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BU109NP
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BU109NP

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU109NP Datasheet (PDF)

 9.1. Size:235K  cdil
 bu109.pdf pdf_icon

BU109NP

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBU109NPN HIGH VOLTAGE SILICON POWER TRANSISTORTO-3Metal Can PackageHORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE OF TVs and CRTsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 150 VVCBOCollector Base Voltage 330 VVEBO

 9.2. Size:207K  inchange semiconductor
 bu109.pdf pdf_icon

BU109NP

isc Silicon NPN Power Transistor BU109DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150 V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output stage of TVs andC

Другие транзисторы... BU105-02 , BU106 , BU107 , BU108 , BU1085 , BU109 , BU109D , BU109DP , TIP127 , BU109P , BU110 , BU111 , BU112 , BU113 , BU113S , BU114 , BU115 .

 

 
Back to Top

 


 
.