BU127 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU127
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 62 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
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BU127 Datasheet (PDF)
bu127.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU127DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.0 V(Max)@ I = 5ACE(sat CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicat
Otros transistores... BU124 , BU124A , BU125 , BU125S , BU126 , BU126A , BU126S , BU126T , D667 , BU128 , BU129 , BU130 , BU131 , BU132 , BU133 , BU134 , BU135 .
History: DMC96402 | MMBC1623L6 | NCBV14 | BCX19CSM4 | BFR37 | D42D1 | BU912
History: DMC96402 | MMBC1623L6 | NCBV14 | BCX19CSM4 | BFR37 | D42D1 | BU912



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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