BU127. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU127

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU127

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU127 даташит

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
 bu127.pdf pdf_icon

BU127

isc Silicon NPN Power Transistor BU127 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0 V(Max)@ I = 5A CE(sat C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applicat

Другие транзисторы: BU124, BU124A, BU125, BU125S, BU126, BU126A, BU126S, BU126T, BC547B, BU128, BU129, BU130, BU131, BU132, BU133, BU134, BU135