BU209A Todos los transistores

 

BU209A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU209A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 115 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2.5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU209A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU209A

isc Silicon NPN Power Transistor BU209ADESCRIPTIONHigh Voltage CapabilityHigh Peak PowerHigh Current Capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits in color TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 9.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu209.pdf pdf_icon

BU209A

isc Silicon NPN Power Transistor BU209DESCRIPTIONHigh Reverse VoltageHigh Peak PowerCollector Current- I = 4ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits in color TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emitter Vo

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History: HEPG0007 | 2SB1197-Q | TI712 | GME0404-2 | DRA2115E | 2SC5140 | GFT15

 

 
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