BU211 Todos los transistores

 

BU211 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU211
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BU211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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BU211

isc Silicon NPN Power Transistor BU211DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 600V (Min)(BR)CBOHigh Current CapabilityHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: D38S1 | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | MMBT2222R | 2SD916

 

 
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