BU211. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU211

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU211

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU211 даташит

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
 bu211.pdf pdf_icon

BU211

isc Silicon NPN Power Transistor BU211 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 600V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: BU207A, BU208, BU208A, BU208B, BU208D, BU209, BU209A, BU210, A1941, BU212, BU213, BU214, BU215, BU216, BU217, BU218, BU221