BU212 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU212
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 750 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BU212
BU212 Datasheet (PDF)
..1. Size:204K inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor BU212DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 750V (Min)(BR)CBOHigh Current CapabilityHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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