BU212 Todos los transistores

 

BU212 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU212
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BU212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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BU212

isc Silicon NPN Power Transistor BU212DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 750V (Min)(BR)CBOHigh Current CapabilityHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: SD4011 | ASY91-2 | ME501 | 2SC2672 | DSL12AW | BU120 | 2SA1889

 

 
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