BU212 Todos los transistores

 

BU212 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU212
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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BU212

isc Silicon NPN Power Transistor BU212DESCRIPTIONHigh Collector-Base Breakdown Voltage-: V = 750V (Min)(BR)CBOHigh Current CapabilityHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for TV horizontal output and high power switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: FHT9013O-ME | TBF872 | 2SA235 | TN3393 | 2SC3601C | BD246B

 

 
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