BU212 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU212

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO3

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BU212 datasheet

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BU212

isc Silicon NPN Power Transistor BU212 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 750V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal output and high power switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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