BU222A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU222A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 525 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 3

Encapsulados: TO3

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BU222A datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BU222A

isc Silicon NPN Power Transistor BU222A DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 525V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 9.1. Size:205K  inchange semiconductor
 bu222.pdf pdf_icon

BU222A

isc Silicon NPN Power Transistor BU222 DESCRIPTION High Collector-Base Breakdown Voltage- V = 450V (Min) (BR)CBO High Current Capability High Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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