BU307F Todos los transistores

 

BU307F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU307F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TOP66
 

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BU307F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
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BU307F

isc Silicon NPN Power Transistor BU306F/307FDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- BD306FCEO(SUS)400V(Min)- BD307FCollector Current-8AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switching regulators, inverters, motorcontrols, solenoid/relay drivers and deflection circuits

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History: MJD148 | MJD200 | CSB546R | GES98 | 2SC3980 | PH1090-350L

 

 
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