2N3227 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3227
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO18
- Selección de transistores por parámetros
2N3227 Datasheet (PDF)
2n3226.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2N3226DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% testMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for power amplifier and switching circuitsapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Ba
Otros transistores... 2N322 , 2N3220 , 2N3221 , 2N3222 , 2N3223 , 2N3224 , 2N3225 , 2N3226 , NJW0281G , 2N3229 , 2N323 , 2N3230 , 2N3231 , 2N3232 , 2N3233 , 2N3234 , 2N3235 .
History: KBT5551C | 2N2605CSM | 2SD1653 | 2N2222AE | NJM13003-1.63 | RT1P430S | 2SC343
History: KBT5551C | 2N2605CSM | 2SD1653 | 2N2222AE | NJM13003-1.63 | RT1P430S | 2SC343



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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