BU606D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU606D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

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BU606D datasheet

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
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BU606D

isc Silicon NPN Power Transistor BU606D DESCRIPTION Fast Switching Speed- t = 0.75 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.1. Size:205K  inchange semiconductor
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BU606D

isc Silicon NPN Power Transistor BU606 DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Fast Switching Speed- t = 0.75 s(Max) f Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIM

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