BU626A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU626A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BU626A datasheet

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BU626A

isc Silicon NPN Power Transistor BU626A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 3.3V(Max.) @ I = 8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power supply units of TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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