BU800 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU800
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 2.2
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
BU800 Datasheet (PDF)
bu800.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BU800DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 5.0V(Max.)@ I = 5.0ACE(sat) CBuilt-in Damper DiodeWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: RT1N24BS | D64DS7 | PT9730 | ET5253 | 2SC941 | BUS23A | BD135-16
History: RT1N24BS | D64DS7 | PT9730 | ET5253 | 2SC941 | BUS23A | BD135-16



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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