BU800A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU800A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 700 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2.2

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BU800A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BU800A datasheet

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu800.pdf pdf_icon

BU800A

isc Silicon NPN Power Transistor BU800 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C Built-in Damper Diode Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications

Otros transistores... BU706D, BU706DF, BU706F, BU724, BU724A, BU724AS, BU726, BU800, 2SD669, BU800S, BU801, BU806, BU806F, BU806FI, BU807, BU807F, BU807FI