BU800A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU800A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2.2

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BU800A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU800A даташит

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
 bu800.pdf pdf_icon

BU800A

isc Silicon NPN Power Transistor BU800 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C Built-in Damper Diode Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications

Другие транзисторы: BU706D, BU706DF, BU706F, BU724, BU724A, BU724AS, BU726, BU800, 2SD669, BU800S, BU801, BU806, BU806F, BU806FI, BU807, BU807F, BU807FI